电子在镍纳米晶中的直接隧穿及其在MOS结构中的存储

• 作者: 倪鹤南 吴良才 宋志棠 惠唇
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米晶存储器 镍纳米晶 MOS结构 电荷存储特性
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 1-4
• 分类号: TB383
• 字数: 939字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-185X.2012.01.001

摘要

研究了镍纳米晶镶嵌在MOS(金属—氧化物一半导体)电容结构中应用于非挥发性存储器的可行性.制备了镶嵌在氧化层中的镍纳米晶.采用电子束蒸发方法,再经过快速退火工艺,得到平均尺寸7nm,密度1.5×1012/cm2的镍纳米晶.电容随频率变化曲线发现明显的峰,测试分析了电容-电压和电导-电压特性.结果表明电子通过直接隧穿停留在镍纳米晶中,并且存储在MOS结构中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋志棠	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	51	197	8.0	12.0
2	吴良才	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	7	8	2.0	2.0
3	倪鹤南		3	3	1.0	1.0
7	惠唇		1	3	1.0	1.0