基于LDMOS栅漏电容特性的研究

• 作者: 张志伟 罗扣 陈军宁 高珊
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 栅漏电容 漂移区 场极板
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 器件
• 页码范围: 90-92
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 字数: 2068字
• 语种: 中文

摘要

此处主要对LDMOS栅漏电容(CCD)进行分析与计算,并借助二维器件模拟软件MEDICI模拟并分析了栅漏电容与漏源电压的关系,通过计算得到的数据与软件模拟结果的对比.研究了场极板长度、场氧化层厚度、P阱注入剂量,漂移区浓度4个结构工艺参数对栅漏电容的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈军宁	安徽大学电子信息工程学院	160	1135	16.0	26.0
2	高珊	安徽大学电子信息工程学院	28	89	6.0	8.0
3	张志伟	安徽大学电子信息工程学院	3	1	1.0	1.0
4	罗扣	安徽大学电子信息工程学院	2	1	1.0	1.0