LPCVD多晶硅薄膜发雾的形成与消除

• 作者: 刘国柱 徐超 王新胜 许帅
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: LPCVD 多晶硅薄膜 发雾 表面缺陷
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 40-43
• 分类号: TN305
• 字数: 2685字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2012.02.017

摘要

LPCVD多晶硅薄膜发雾对CMOS器件性能有重大影响,文章分析了多晶硅薄膜发雾的形成机理与影响因素,指出了低温、低压以及保持气路系统的清洁是消除多晶＂发雾＂的有效措施。根据多晶硅薄膜雾状斑点的形状与分布位置,对硅片表面缺陷的来源进行了分类,并从清洗工艺、污染物成分分析、前道工序等方面提出了相应的解决措施。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘国柱		15	32	4.0	4.0
2	许帅		3	3	1.0	1.0
3	王新胜		2	3	1.0	1.0
4	徐超		6	3	1.0	1.0