区熔单晶生长过程中高频线圈形变篚原因分析及理论计算

• 作者: 刘洪
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 高频线圈 附加扭矩 区熔单晶
• 年，卷（期）: 2012,（10）
• 所属期刊栏目: 半导体材料及设备
• 页码范围: 40-42
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.053
• 字数: 1432字
• 语种: 中文

摘要

主要针对高频线圈于单晶生长过程中，在高频电流及棒体的高温作用下，产生的附加扭矩，改变线圈的设计外形，进行了原因研究、理论计算，并对单晶生长的影响进行了分析。通过采取适当的措施，降低由于线圈的形变对单晶的影响，提高单晶的成晶率。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘洪	中国电子科技集团公司第四十六研究所	6	9	2.0	2.0