提高RF MEMS开关速度的电压控制方法

• 作者: 凌源 杜亦佳 赵兴海 邓成 郑英彬 鲍景富
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: RF MEMS开关 释放时间 开关速度 梁振动 偏置电压
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: MEMS与传感器
• 页码范围: 39-44
• 分类号: TH703|TN631
• 字数: 3285字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2012.01.007

摘要

针对RF MEMS开关释放时间过长的问题,提出了一种电压控制方法有效地缩短了开关的释放时间,提高了开关的速度.这种方法无需修改器件设计,仅需要调整偏置电压变化形式,用线性压降替代传统的阶跃压降,就能有效抑制MEMS梁在释放过程中的振动.给出了这种方法的相关理论、等效模型及仿真结果.由ANSYS仿真结果可知,在标准大气压下,采用28 μs单段线性压降后,梁的释放时间从103 μs缩短到62.5 μs；采用26 μs双段线性压降后,梁的释放时间进一步缩短到26 μs,仅为原来的1/4,即开关速度约为原来的4倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	鲍景富	电子科技大学电子工程学院	51	296	7.0	14.0
2	赵兴海	中国工程物理研究院电子工程研究所	34	240	9.0	14.0
3	杜亦佳	电子科技大学电子工程学院	8	23	2.0	4.0
4	郑英彬	中国工程物理研究院电子工程研究所	22	115	7.0	9.0
5	邓成	电子科技大学电子工程学院	6	27	2.0	5.0
6	凌源	电子科技大学电子工程学院	4	8	2.0	2.0