多晶硅衬底上的RF MEMS开关

• 作者: 刘玉奎 张正元 张正番 徐世六 李开成 温志渝 黄尚廉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微机械开关 下拉电压 静电引力 金属膜
• 年，卷（期）: 2003,（8）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 798-802
• 页数: 5页
• 分类号: TN820.8+3
• 字数: 717字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.08.004

摘要

在微机械开关与硅IC工艺设计和兼容方面进行了改进,获得了一种可与IC工艺兼容的RF MEMS微机械开关.采用介质隔离工艺技术把这种RF MEMS微机械开关制作在绝缘的多晶硅衬底上,实现了与IC工艺兼容;采用在金属膜桥的端点附近刻蚀一些孔的优化方法,降低了RF MEMS微机械开关的下拉电压.用TE2819电容测试设备测试开关的电容,测得开关的开态电容、关态电容和致动电压分别为0.32pF、6pF和25V.用HP8753C网络分析仪对RF MEMS微机械开关进行了RF特性测试,得出RF MEMS微机械开关在频率1.5GHz下关态的隔离度为35dB,开态的插入损耗为2dB,用示波器测得该开关的开关速度为3μs.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄尚廉	重庆大学光电工程学院	164	3610	34.0	51.0
2	温志渝	重庆大学光电工程学院	143	1259	18.0	26.0
3	张正元	重庆大学光电工程学院	8	67	6.0	8.0
7	徐世六		2	11	2.0	2.0
8	张正番		2	11	2.0	2.0
9	刘玉奎		1	8	1.0	1.0
10	李开成		1	8	1.0	1.0