二氧化锡覆盖层对ITO透明导电薄膜热稳定性的改良

• 作者: 丁玲红 于仕辉 张伟风
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化铟锡(ITO) 磁控溅射 SnO2 热稳定性
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 51-54
• 分类号: TN305.05
• 字数: 2748字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2012.07.015

摘要

采用射频磁控溅射法在ITO玻璃表面沉积了一层15nm左右的SnO2薄膜.利用霍尔效应测试仪、四探针电阻测试仪、场发射电子显微镜及紫外-可见-近红外光谱仪分析了所制薄膜的电学性质、表面形貌和光学性质.结果表明,在300-600℃退火后镀有SnO2覆盖层的ITO(SnO2/ITO)薄膜具有相对好的热学稳定性.在600℃退火后,ITO薄膜的方阻和电阻率分别为88.3Ω/□和2.5×10-3Ω·cm,而此时,SnO2/ITO薄膜的方阻和电阻率仅为43.8Ψ/□和1.2× 10-3Ω·cm.最后,阐述了SnO2覆盖层提高ITO薄膜热稳定性的机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张伟风	河南大学物理与电子学院河南省光伏材料重点实验室	66	248	8.0	10.0
2	于仕辉	河南大学物理与电子学院河南省光伏材料重点实验室	3	11	3.0	3.0
3	丁玲红	河南大学物理与电子学院河南省光伏材料重点实验室	21	95	6.0	8.0