SiA447DJ／Si5429DU：功率MOSFET

• 来源期刊: 世界电子元器件
• 学科: 工学
• 关键词: 功率MOSFET 导通电阻 外形尺寸 增强型 P沟道 器件 封装 单片
• 年，卷（期）: 2012,（11）
• 所属期刊栏目: 全球IC新品指南月度新品总汇
• 页码范围: 35-35
• 页数: 1页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文

摘要

VishayIntertechnology推出采用热增强型2mmX2mmPowerPAKSC．70封装的单路12V器件SiA447DJ，以及采用3mmX1．8mmPowerPAKChipFET封装、高度0．8mm的单片30V器件-Si5429DU，扩充其TrenchFETGenIII系列P沟道功率MOSFET。两款MOSFET具有小占位的特点，在4．5V下具有相应外形尺寸产品中较低的导通电阻。