升华法制备m面非极性-AlN单晶体的研究

• 作者: 李萌萌 武红磊 郑瑞生 闫征
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 升华 非极化 AlN晶体 m面
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 页码范围: 1534-1537
• 页数: 4页
• 分类号: O782
• 字数: 2206字
• 语种: 中文

摘要

AlN晶体在c轴方向具有很强的自发和压电极化效应,影响了其器件的性能.生长高质量的非极性面AlN晶体材料是解决该问题的有效途径.本研究结合AlN晶体沿c轴择优生长的特点,使用自行设计的双区电阻加热生长装置,升华制备出尺寸为厘米级m面非极性AlN单晶体,并利用X射线衍射和能谱对样品进行测试分析.实验结果表明AlN单晶体的方向为(100),铝和氮原子比例为50.3％和49.7％,接近理想比例1∶1.最后,对m面非极性AlN单晶体的形成机理进行探讨.