直接氮化法制备单晶AlN纳米线

• 作者: 崔启良 成泰民 沈龙海
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子技术 AlN纳米线 半导体材料 直流电弧放电
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 78-80
• 页数: 3页
• 分类号: O471.4
• 字数: 1674字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2008.10.023

摘要

采用直流电弧放电装置,通过金属铝和氮气直接反应,在钼阴极上沉积出大量的AlN纳米线.利用XRD、SEM、TEM和拉曼(Raman)光谱对所制样品的结构、形貌和光学特性进行了表征.结果表明:大部分AlN纳米线沿着[001]方向生长,平均直径为45 nm,长度5 μm左右;Raman光谱的峰值与单晶体材料AlN的结果一致,说明AlN纳米线结晶质量较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	成泰民	沈阳化工学院数理系	85	97	5.0	6.0
2	崔启良	吉林大学超硬材料国家重点实验室	38	119	5.0	8.0
3	沈龙海	沈阳理工大学理学院	23	41	4.0	5.0