SJ—LDMOST中的衬底辅助耗尽效应

• 作者: 成建兵
• 来源期刊: 电源技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: SJ—LDMOST 功率集成电路 衬底辅助耗尽效应 击穿电压
• 年，卷（期）: 2012,（8）
• 页码范围: 45-47
• 页数: 3页
• 分类号: TN386.1

摘要

SJ—LDMOST是半导体功率集成技术的核心器件之一，但其击穿电压和比导通电阻之间的优化决定于衬底辅助耗尽效应的消除。这里在分析衬底辅助耗尽效应机理的基础上，将业界消除衬底辅助耗尽效应的主要方法分成两类，并提出通过引入新构造提高漏极纵向击穿电压以彻底消除衬底辅助耗尽效应的途径。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	成建兵	南京邮电大学微电子系	9	7	2.0	2.0