Zn掺杂β-Ga2O3薄膜的制备和特性研究

• 作者: 赵银女
• 来源期刊: 光子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Zn掺杂β-Ga2O3 光学透过 光学带隙 光致发光
• 年，卷（期）: 2012,（10）
• 所属期刊栏目: 薄膜光学
• 页码范围: 1242-1246
• 分类号: O484.4|O472.3
• 字数: 1264字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/gzxb20124110.1242

摘要

β-Ga2O3是一种宽带隙半导体材料,能带宽度Eg≈5.0 eV,在光学和光电子学领域有广泛的应用.射频磁控溅射方法在Si衬底和远紫外光学石英玻璃衬底制备了本征β-Ga2O3薄膜及Zn掺杂β-Ga2O3薄膜,用紫外-可见分光光度计、X射线衍射仪、荧光分光光度计对本征β-Ga2O3 薄膜及Zn掺杂β-Ga2O3薄膜的光学透过、光学吸收、结构和光致发光进行了测量,研究了Zn掺杂和热退火对薄膜结构和光学性质的影响.退火后的β-Ga2O3薄膜为多晶结构,与本征β-Ga2O3薄膜相比,Zn掺杂β-Ga2O3薄膜的β-Ga2O3(111)衍射峰强度变小,结晶性变差,衍射峰位从35.69°减小至35.66°.退火后的Zn掺杂β-Ga2O3薄膜的光学带隙变窄,光学透过降低,光学吸收增强,出现了近边吸收,薄膜的紫外、蓝光及绿光发射增强.表明退火后Zn掺杂β-Ga2O3薄膜中的Zn原子被激活充当受主.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵银女	鲁东大学教务处	8	29	3.0	5.0