MOCVD自催化法在Si(100)衬底上生长InP/InGaAs核壳结构纳米线

• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 自催化法 金属有机化学气相沉积 InP/InGaAs核壳结构 纳米线
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 页码范围: 294-298
• 页数: 5页
• 分类号: TB383.1
• 语种: 中文

摘要

采用自催化法,利用金属有机化学气相沉积技术,在Si(100)衬底上成功制备了InP/InGaAs核壳结构纳米线.通过扫描电子显微镜观察纳米线形貌,在核壳结构纳米线的顶端催化剂转化成了颗粒状晶体.利用X射线衍射和透射电子显微镜研究了InP纳米线上生长InGaAs外壳的过程,并应用X射线能量色散能谱仪对纳米线顶端进行了轴向和径向的线扫描,得到了纳米线上元素组分分布.催化剂的转化发生在制备InGaAs壳之前的升温过程中,且形成的晶体中含有合金成分.InGaAs壳的组分调整可以通过改变生长过程中生长源气体的流量来实现.