高栅压低漏压条件下FG-pLEDMOS的热载流子退化机理

• 作者: 万维俊 刘斯扬 孙伟锋 孙虎
• 来源期刊: 东南大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: FG-pLEDMOS 热载流子 电荷泵 p型缓冲区
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 页码范围: 25-28
• 分类号: TN386
• 字数: 2860字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0505.2012.01.005

摘要

针对FG-pLEDMOS施加高栅压低漏压的热载流子应力会使器件线性区漏电流发生退化,而阈值电压基本保持不变,使用TCAD软件仿真以及电荷泵测试技术对其进行了详细的分析.结果表明:沟道区的热空穴注入到栅氧化层,热空穴并没有被栅氧化层俘获,而是产生了界面态；栅氧化层电荷没有变化,使阈值电压基本不变,而界面态的增加导致线性区漏电流发生退化.电场和碰撞电离率是热空穴产生的主要原因,较长的p型缓冲区可以改善沟道区的电场分布,降低碰撞电离率,从而有效地减弱热载流子退化效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙伟锋	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	105	634	13.0	19.0
2	刘斯扬	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	21	54	4.0	5.0
3	万维俊	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	2	6	2.0	2.0
4	孙虎	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	1	2	1.0	1.0