pLEDMOS导通电阻及阈值电压的热载流子退化

• 作者: 刘斯扬 孙伟锋 孙虎 郑维山
• 来源期刊: 东南大学学报（自然科学版）
• 学科: 地球科学
• 关键词: pLEDMOS 热载流子注入 导通电阻 阈值电压 退化
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 页码范围: 522-525
• 分类号: X703
• 字数: 2598字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0505.2011.03.018

摘要

研究了不同漂移区长度及不同栅场极板长度的厚栅氧化层pLEDMOS器件由热载流子效应导致的导通电阻及阈值电压的退化现象及机理.实验结果表明,增加漂移区长度能改善器件的导通电阻的退化,但加速了阈值电压的退化;增加栅场极板长度可以同时改善导通电阻和阈值电压的退化.借助TCAD仿真软件,模拟分析了不同漂移区长度及不同栅场极板长度的pLEDMOS器件的离子产生率和纵向电场,模拟结果解释了各种退化现象的机理,同时表明碰撞电离率和纵向电场的优化是改善器件参数退化的有效手段.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑维山	南京大学电子科学与工程学院	4	9	2.0	2.0