激发频率对纳米晶硅薄膜晶化特性的影响

• 作者: 何佳 邱海宁
• 来源期刊: 实验室研究与探索
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米晶硅 等离子体化学气相沉积 晶化率
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 实验技术
• 页码范围: 17-18,23
• 页数: 3页
• 分类号: O484.4
• 字数: 1531字
• 语种: 中文

摘要

为制备高质量的纳米晶硅薄膜,采用等离子体化学气相沉积方法,以硅烷、高纯氢为源气体,氢稀释率保持在98％,衬底温度200℃,反应气压100 Pa,沉积时间60 min,在射频频率分别为13.56、54.24 MHz下合成了纳米晶硅薄膜.利用Raman光谱和X射线衍射技术分析了样品,结果表明,高激发频率可促进薄膜从非晶硅到纳米晶硅的转化,有利于提高薄膜的晶化率,且晶粒具有各种晶体取向,没有出现择优生长.当激发频率从13.56 MHz升高到54.24 MHz时,晶化率相应从9％提高到72％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何佳	上海工程技术大学材料工程学院	19	37	3.0	5.0
2	邱海宁	上海工程技术大学材料工程学院	3	4	1.0	2.0