Si衬底上生长的MnSi薄膜和MnSi1．7纳米线的STM和XPS分析

• 作者: 刘晓勇 孙立民 李玮聪 石高明 邹志强
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: X射线光电子能谱 扫描隧道显微镜 纳米线 薄膜
• 年，卷（期）: 2012,（22）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 395-401
• 分类号: O484.1
• 语种: 中文

摘要

本文采用分子束外延方法制备出MnSi薄膜和MnSi1．7纳米线，利用扫描隧道显微镜进行观察，采用X射线光电子能谱仪系统地分析了MnSi薄膜和MnSi1．7纳米线的Mn2p和Si2p．结果表明厚度为-0．9nm的MnSi薄膜表面为／3×／3重构，MnSi1．7纳米线长50ff--1500nm，宽16—18nm，高-3nm．MnSi薄膜的Mn2p1／2和Mn2p3／2峰位与MnSil．7纳米线相同，均分别为649．7eV和638．7ev结合能在640-645eV和-653．8eV处的锰氧化合物的Mn2ps／2和Mn2p1／2峰证明在短暂暴露于空气中后MnSi薄膜和MnSi1．7纳米线表面有氧化层形成．相对于纯si的si2p谱，两种锰硅化合物的Si2p谱向低结合能方向发生了位移，表明随着锰硅化合物的形成Si的化学环境发生了变化．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙立民	上海交通大学分析测试中心	7	36	3.0	5.0
2	李玮聪	上海交通大学分析测试中心	2	1	1.0	1.0