SiC(0001)面和(000-1)面CMP抛光对比研究

• 作者: 冯玢 潘章杰 王磊 郝建民
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 (0001)Si面 (000-1)C面 化学机械抛光(CMP) 材料去除速率 粗糙度
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 材料制备工艺与设备
• 页码范围: 19-23
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2708字
• 语种: 中文

摘要

研究了SiC衬底(0001)面和(000-1)面不同的CMP抛光特性.分别采用pH值为10.38和1.11的改性硅溶胶抛光液对SiC衬底的(0001)Si面和(000-1)C面进行对比抛光实验.使用精密天平测量晶片抛光前后的质量,计算出CMP抛光工艺的材料去除速率.并使用强光灯、微分干涉显微镜和原子力显微镜检测晶片表面质量.发现采用酸性抛光液和碱性抛光液进行抛光,均有Vc＞Vsi;而对于(0001) Si面,有Vsi 酸＞Vsi碱；对于(000-1)C面,有Vc酸＞Vc碱.该结论对于探索最佳碳化硅的CMP抛光工艺具有较高价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝建民	中国电子科技集团公司第四十六研究所	23	56	4.0	6.0
2	冯玢	中国电子科技集团公司第四十六研究所	14	26	3.0	4.0
3	王磊	中国电子科技集团公司第四十六研究所	76	167	6.0	10.0
4	潘章杰	中国电子科技集团公司第四十六研究所	2	4	2.0	2.0