GaAs光导开关触发下ZnO残压过冲的实验及分析

• 作者: 王少强
• 来源期刊: 泸州职业技术学院学报
• 学科: 工学
• 关键词: GAAS光导开关 ZNO 残压过冲 位移电流 电脉冲
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 页码范围: 50-53
• 页数: 4页
• 分类号: TN36

摘要

本文主要对GaAs光导开关触发下ZnO产生电脉冲物理过程作了简要分析,并把它分为三个阶段。在第一阶段提出ZnO在电脉冲的作用下会产生位移电流,第二阶段估计出ZnO从容性阶段过渡到阻性阶段的大致时间,且发现半导体开关也可使ZnO产生残压过冲,指出ZnO的残压过冲可能是位移电流和其从容性过渡到阻性阶段的时间差共同作用所致。第三阶段得出ZnO在非线性阶段有快速稳定产生载流子的机制。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王少强	泸州职业技术学院基础部	3	0	0.0	0.0