运用低温Purge降低LPCVD氮化硅工艺的微粒污染

• 作者: 程秀兰 罗浚涛
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 微粒污染 垂直型炉管 低温N2 Purge 剥落微粒
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 页码范围: 32-36
• 分类号: TN305
• 字数: 2493字
• 语种: 中文

摘要

LPCVD制备的氮化硅薄膜具有良好的阶梯覆盖性,但是这种薄膜的应力偏高,在石英工艺腔管使用到8μm后易形成剥落微粒.特别是半导体工艺发展到了亚微米阶段,这一问题对于产品良率的影响也越来越大.文中以垂直式LPCVD设备为研究对象,通过利用晶圆冷却时间,运用降低工艺腔体温度并使用N2 Purge的方法来改善微粒状况.通过大量对比实验来得出最优温度设定.运用这种方式不但改善了LPCVD设备制备氮化硅膜的微粒状况,还延长了设备的维护周期,增加设备利用时间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程秀兰	上海交通大学微电子学院	48	205	5.0	12.0
2	罗浚涛	上海交通大学微电子学院	1	4	1.0	1.0