Sb掺杂对ATO薄膜光电性能的影响

• 作者: 代仕梅 季燕青 李思莹 高延敏
• 来源期刊: 武汉科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 化学
• 关键词: ATO薄膜 Sb掺杂 光电性能
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 122-125
• 页数: 4页
• 分类号: O658.6|O612.3
• 字数: 2529字
• 语种: 中文

摘要

以无水SnCl4和SbCl3为原料,采用溶胶-凝胶浸渍提拉镀膜法制备锑掺杂二氧化锡(ATO)导电薄膜,并采用XRD、SEM、霍尔效应(Halleffect)、四探针法、UV-Vis等测试手段表征不同Sb掺杂量对ATO薄膜结构及其光电性能的影响.结果表明,Sb的掺杂提高了ATO薄膜的导电性能和光学性能；Sb掺杂量为8％时ATO薄膜的电阻率低达0.048 Ω·cm,平均光透射率高达84％,薄膜的综合性能达到最佳.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高延敏	江苏科技大学材料科学与工程学院	136	968	15.0	22.0
2	季燕青	江苏科技大学材料科学与工程学院	4	21	3.0	4.0
3	李思莹	江苏科技大学材料科学与工程学院	4	30	4.0	4.0
4	代仕梅	江苏科技大学材料科学与工程学院	6	39	4.0	6.0