ZnO基薄膜晶体管有源层制备技术的研究进展

• 作者: 刘玉荣 李晓明 简平 苏晶 莫昌文
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌 薄膜晶体管 有源层 制备方法
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 材料物理和化学
• 页码范围: 315-322
• 页数: 8页
• 分类号: TN321+.5
• 字数: 4492字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20132803.0315

摘要

氧化锌基薄膜晶体管(ZnO-TFT)器件的性能受到多种因素的影响,如半导体有源层、栅介质层的质量、栅介质与有源层的界面质量,其中有源层的质量起到至关重要的作用,而在影响器件有源层方面,制备方法是其中一个重要的因素.目前,已有多种ZnO半导体有源层制备技术应用于ZnO-TFT的制备(如原子层沉积、脉冲激光沉积、射频磁控溅射、溶液法等).为了更直观地了解各种制备技术所获得的ZnO-TFT器件性能的优劣,并让研究者在选择制备技术时有所参考,文章概述了各种有源层制备技术的特点,并比较了这些制备方法所制备的ZnO TFT器件性能.通过对比各器件性能参数可以发现,脉冲激光沉积和射磁控溅射所制备的ZnO有源层具有较优的性质,并被广泛使用.文章还对ZnO-TFT的优化方法做了简单介绍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉荣	华南理工大学电子与信息学院	31	82	6.0	6.0
2	简平	华南理工大学电子与信息学院	3	14	2.0	3.0
3	苏晶	华南理工大学电子与信息学院	6	22	3.0	4.0
4	莫昌文	华南理工大学电子与信息学院	2	8	2.0	2.0
5	李晓明	华南理工大学电子与信息学院	9	43	4.0	6.0