基于GaN HEMT的1.5～3.5GHz宽带平衡功率放大器设计

• 作者: 冷永清 官劲 张国梁 张立军 彭亚涛 彭伟 曾云 郑占旗 鲁辉
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 宽带功率放大器 GaN HEMT 平衡功率放大器
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 815-820
• 页数: 6页
• 分类号: TN911.23
• 字数: 3009字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2013.04.032

摘要

阐述了基于GaN HEMT的宽带平衡功率放大器的设计与实现方法:采用Lange耦合器构建平衡功率放大器结构,采用多节阻抗匹配技术设计输入/输出匹配网络,实现功放宽带特性(1.5 ～ 3.5GHz)；采用与Si热膨胀系数接近的AlSiC散热载片,克服管芯与载片热稳定系数不同引起的热稳定问题,并采用脉冲工作模式进一步减小功放发热量.制作实际功放模块用于测试,在1.5～3.5GHz频带内,功放线性增益大于12dB,增益平坦度为±0.4dB,饱和输出功率大于8W,漏极效率为56％～65％.实验测试结果与设计仿真结果有较好一致性,验证了设计方法的正确性.