日本企业纷纷推出GaN功率元件,耐压600 V产品成主流

• 作者: 赵佶
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 功率元件 GAN 功率半导体 功率晶体管 半导体厂商 导通电阻 太阳能发电系统 功率二极管 栅极驱动
• 年，卷（期）: bdtxx_2013,（3）
• 页码范围: 10-11
• 页数: 2页
• 分类号: TN304

摘要

【正】Si之后的新一代功率半导体材料的开发在日本愈发活跃。进入2013年以后,日本各大企业相继发布了采用SiC和GaN的功率元件新产品,还有不少企业宣布涉足功率元件业务。其中,变化较大的是GaN功率元件。最近,耐压600 V的新款GaN功率晶体