低温度系数高电源抑制比带隙基准源的设计

• 作者: 吕超群 张长春 方玉明 李卫 郭宇锋 陈德媛
• 来源期刊: 南京邮电大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准 温度系数 电源抑制比 运算放大器
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 信息材料与光电器件
• 页码范围: 117-121
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 字数: 3276字
• 语种: 中文

摘要

基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种适用于数模或模数转换等模数混合电路的低温度系数、高电源抑制比的带隙基准电压源.针对传统带隙基准源工作电压的限制,设计采用电流模结构使之可工作于低电源电压,且输出基准电压可调；采用共源共栅结构(cascode)作电流源,提高电路的电源抑制比(PSRR)；采用了具有高增益高输出摆幅的常见的两级运放.Cadence仿真结果表明:在1.8V电源电压下,输出基准电压约为534 mV,温度在-25～100℃范围内变化时,温度系数为4.8 ppm/℃,低频电源抑制比为-84 dB,在1.6～2.0 V电源电压变化范围内,电压调整率为0.15 mV/V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭宇锋	南京邮电大学电子科学与工程学院功率与射频微电子研究中心	59	281	8.0	14.0
2	方玉明	南京邮电大学电子科学与工程学院功率与射频微电子研究中心	52	140	6.0	8.0
3	张长春	南京邮电大学电子科学与工程学院功率与射频微电子研究中心	29	83	5.0	7.0
4	李卫	南京邮电大学电子科学与工程学院	15	41	5.0	6.0
5	陈德媛	南京邮电大学电子科学与工程学院功率与射频微电子研究中心	17	38	3.0	4.0
6	吕超群	南京邮电大学电子科学与工程学院功率与射频微电子研究中心	1	8	1.0	1.0