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低温度系数高电源抑制比宽频带带隙基准电压源的设计
低温度系数高电源抑制比宽频带带隙基准电压源的设计
作者:
宋树祥
庞中秋
蒋品群
蔡超波
连天培
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
带隙基准电压源
电源抑制比
温度系数
动态阈值MOS管
摘要:
本文设计了一款低温度系数高电源抑制比的带隙基准电压源.设计采用动态阈值MOS管(DTMOS)产生温度补偿电流,以降低温漂;输出部分采用一个简单的低通滤波器,以降低高频噪声,在较宽频带内提高电源抑制比.电路采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺实现,供电电源为1.8 V,仿真结果表明:电路在-40~130℃温度范围内,温度系数为1.54×10-6℃-1,输出基准电压为1.154 V,电源抑制比在10 Hz处为-76 dB,在100 kHz处为-85 dB,在15 MHz处为-63 dB.本基准源具有较好的综合性能,可为数模转换电路、模数转换电路、电源管理芯片等提供高精度的基准电压,具有较大的应用价值.
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低功耗
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高电压源抑制比
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相关文献总数
(/次)
(/年)
文献信息
篇名
低温度系数高电源抑制比宽频带带隙基准电压源的设计
来源期刊
广西师范大学学报(自然科学版)
学科
工学
关键词
带隙基准电压源
电源抑制比
温度系数
动态阈值MOS管
年,卷(期)
2019,(1)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
125-132
页数
8页
分类号
TN432
字数
3414字
语种
中文
DOI
10.16088/j.issn.1001-6600.2019.01.014
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
蒋品群
广西师范大学电子工程学院
49
368
9.0
17.0
2
宋树祥
广西师范大学电子工程学院
81
289
8.0
12.0
3
庞中秋
广西师范大学电子工程学院
5
6
2.0
2.0
4
蔡超波
广西师范大学电子工程学院
4
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2.0
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连天培
广西师范大学电子工程学院
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2020(1)
引证文献(0)
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带隙基准电压源
电源抑制比
温度系数
动态阈值MOS管
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
广西师范大学学报(自然科学版)
主办单位:
广西师范大学
出版周期:
双月刊
ISSN:
1001-6600
CN:
45-1067/N
开本:
大16开
出版地:
桂林市育才路15号
邮发代号:
48-54
创刊时间:
1957
语种:
chi
出版文献量(篇)
3550
总下载数(次)
1
总被引数(次)
13610
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
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