SOI电路可靠性筛选技术及失效机理研究

• 作者: 刘迪 陆坚 顾晓峰 黄龙
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 可靠性筛选 绝缘体上硅 失效分析 光发射显微镜 激励源诱导故障测试
• 年，卷（期）: 2013,（12）
• 页码范围: 30-34
• 页数: 5页
• 分类号: TN74+2.1
• 字数: 2486字
• 语种: 中文

摘要

可靠性筛选是提高电子产品良率的重要技术手段。针对绝缘体上硅(SOI)技术日益广泛的应用，通过大量实验研究了SOI电路的常用筛选试验，并对失效样品进行了相应的失效机理研究。首先讨论了SOI电路失效模式和筛选方法之间的关系；其次，针对三款SOI电路分别开展了老炼应力、高温贮存及恒定加速度试验来进行可靠性筛选；最后，利用光发射显微镜、扫描电子显微镜、聚焦离子束和激励源诱导故障测试等失效分析手段，对失效样品进行了失效模式及机理分析，揭示了失效根源，为改进工艺、提高SOI电路可靠性提供了依据。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾晓峰	轻工过程先进控制教育部重点实验室江南大学电子工程系	22	113	6.0	9.0
2	陆坚		16	86	5.0	8.0
3	黄龙	轻工过程先进控制教育部重点实验室江南大学电子工程系	1	1	1.0	1.0
4	刘迪	轻工过程先进控制教育部重点实验室江南大学电子工程系	3	10	2.0	3.0