低压下气流对激光沉积纳米硅晶化及尺寸的影响

• 作者: 丁学成 傅广生 梁伟华 王英龙 褚立志 邓泽超 高建聪
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 脉冲激光烧蚀 纳米Si颗粒 尺寸 气流
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 气体、等离子体和放电物理
• 页码范围: 443-447
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.025204

摘要

纳米硅具有明显的光致发光效应和量子尺寸效应,广泛的应用在现代电子工业和太阳能光伏工业中.尺寸影响着纳米硅的实际用途,因此制备尺寸可控的纳米硅晶粒具有很重要的实际意义.本文采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在烧蚀点水平方向、距靶2 cm处引入一束流量为5 sccm的氩(Ar)气流,在0.01-0.5 Pa的Ar气压下烧蚀高阻抗单晶硅(Si)靶.在管口正下方1 cm处水平放置衬底来沉积纳米Si薄膜;并用同一装置,在0.08 Pa的Ar气压下分别引入流量为0,2.5,5,7.5,10 sccm的Ar气流沉积纳米Si薄膜.利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、Raman散射对样品表面形貌和微观结构进行分析表征.结果表明:不引入气流时出现纳米Si晶粒的阈值气压是0.1Pa,引入气流后出现纳米Si晶粒的阈值气压为0.05 Pa.晶粒尺寸随着气流流量的增大而减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅广生	河北大学物理科学与技术学院	184	817	13.0	17.0
2	邓泽超	河北大学物理科学与技术学院	48	123	6.0	8.0
3	褚立志	河北大学物理科学与技术学院	47	155	7.0	10.0
4	丁学成	河北大学物理科学与技术学院	44	89	5.0	7.0
5	梁伟华	河北大学物理科学与技术学院	36	92	6.0	8.0
6	王英龙	河北大学物理科学与技术学院	96	301	9.0	12.0
7	高建聪	河北大学物理科学与技术学院	2	2	1.0	1.0