非晶Co/Ge多层膜的磁性和电性能

• 作者: 王锋 陈春花 陈瑞美
• 来源期刊: 厦门大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 非晶多层膜 Co/Ge 磁性半导体 自旋极化
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 733-738
• 页数: 6页
• 分类号: O469
• 字数: 4463字
• 语种: 中文
• DOI: 10.6043/j.issn.0438-0479.2013.06.001

摘要

采用射频溅射的方法制备了[Cox/Ge10-x](x=0.1,0.3,0.5,0.7,1.0,1.5,2.5 nm)非晶多层薄膜,X射线衍射仪(XRD)显示样品中不存在第二相.随着Co层厚度增加,室温下薄膜磁性由抗磁性转变为铁磁性.制备态的[Co2.5/Ge7.5]的饱和磁化强度Ms可达8.3×104 A/m.霍尔效应测试表明样品均为P型半导体,载流子浓度约为1023～1025 m-3.薄膜的低温电阻导电机理属于磁性半导体材料的自旋依赖电子变程跃迁机制,实验结果表明,Co/Ge体系有作为新型自旋电子学器件材料的可能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王锋	泉州师范学院物理与信息工程学院	17	21	3.0	3.0
2	陈瑞美	泉州师范学院物理与信息工程学院	2	4	1.0	2.0
3	陈春花	泉州师范学院物理与信息工程学院	1	0	0.0	0.0