温度对AACVD法制备AZO透明导电薄膜的影响

• 作者: 秦秀娟 赵琳 邵光杰
• 来源期刊: 无机化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD) AZO薄膜 温度 极性半导体 结晶质量
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 723-728
• 页数: 6页
• 分类号: O614
• 字数: 4841字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4861.2013.00.061

摘要

低成本、大面积、沉积速率高、均匀性好、光电性能优良的AI掺杂ZnO薄膜(AZO)制备技术依然是透明导电薄膜领域研究的重点之一.本文采用冷壁式气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)技术在玻璃衬底上制备了AZO透明导电薄膜,研究了衬底温度对薄膜结构和光、电性能的影响.利用X射线衍射、原子力显微镜、紫外-可见光谱和光致发光光谱等对样品进行了表征.结果表明:在AACVD法生长AZO薄膜的过程中,衬底温度对AZO薄膜晶面的择优取向生长影响呈起伏式变化.明显的电学性能的转变温度发生在约400℃,光学性能和晶面的择优取向生长变化出现在约450℃.讨论了温度对AACVD法制备AZO透明导电薄膜结构和光、电性能影响的微观机制.400℃时沉积的AZO薄膜方阻190 Ω/口,平均透过率为80％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵琳	燕山大学河北省应用化学重点实验室	24	44	3.0	5.0
2	邵光杰	燕山大学河北省应用化学重点实验室	75	971	17.0	29.0
6	秦秀娟	燕山大学河北省应用化学重点实验室	39	511	12.0	22.0