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摘要:
为研究波长对连续激光晶化非晶硅(a-Si)薄膜过程的影响,利用连续Ar+-Kr+激光对a-Si薄膜晶化,在5 ms固定照射时间下,改变激光波长,采用拉曼光谱测试技术和场发射扫描电子显微镜(SEM)研究在不同激光功率密度下薄膜晶化后的特性.结果表明,a-Si薄膜的晶化阈值随着波长的增大而增大,当波长为458 nm时薄膜晶化阈值为13.2 kW/cm2,波长为647 nm时,晶化阈值为19.2 kW/cm2;在激光功率密度范围为0~27.1 kW/cm2内,薄膜的最大晶化率受波长的影响相对较小,但总体也随着波长的增大而呈增大趋势,当波长为647 nm时,在激光功率密度26.5 kW/cm2处,晶化率达到最大值75.85%.
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文献信息
篇名 激光波长对非晶硅薄膜晶化效果的影响
来源期刊 光电子·激光 学科 物理学
关键词 薄膜 非晶硅(a-Si) 连续激光晶化 波长 晶化率
年,卷(期) 2013,(10) 所属期刊栏目 材料
研究方向 页码范围 1948-1952
页数 5页 分类号 O484.1
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 黄明举 53 338 12.0 16.0
2 周德让 4 3 1.0 1.0
3 韩俊鹤 21 91 6.0 9.0
4 段国平 4 6 2.0 2.0
5 陈俊岭 2 1 1.0 1.0
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光电子·激光
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1005-0086
12-1182/O4
大16开
天津市南开区红旗南路263号
6-123
1990
chi
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