预辅Al及AlN缓冲层厚度对GaN/Si(111)材料特性的影响

• 作者: 冯雷 廉瑞凯 张宝顺 张辉 朱建军 李林 王勇 范亚明 邓旭光
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 材料 GaN Si(111) AlN缓冲层 预辅Al 应变状态
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 158-162
• 页数: 5页
• 分类号: O436
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL201340.0106001

摘要

主要研究了采用高温AIN缓冲层外延生长GaN/Si(111)材料的工艺技术.利用高分辨X射线双晶衍射(H RXRD)分析研究了GaN/Si(111)样品外延层的应变状态和晶体质量,通过原子力显微镜(AFM)分析研究了不同厚度的高温AlN缓冲层对GaN外延层的表面形貌的影响.实验结果表明,AlN缓冲层生长前预通三甲基铝(TMAl)的时间、AlN缓冲层的厚度对GaN外延层的应变状态、外延层的晶体质量以及表面形貌都有显著影响.得到最优的预辅AI时间为10 s,AlN缓冲层的厚度为40 nm.在此条件下外延生长的GaN样品(厚度约为1μm)表面形貌较好,X射线衍射(XRD)双晶摇摆曲线半峰全宽(FWHM) (0002)面和(10-12)面分别为452″和722″.