Si(111)衬底高温AlN缓冲层厚度及其结构特性

• 作者: 伍墨 张宝顺 张纪才 杨辉 梁骏吾 王建峰 王玉田
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN AlN Si衬底
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 109-112
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 1445字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.029

摘要

通过高分辨X射线衍射、光致发光、二次离子质谱(SIMS)、原子力显微镜和同步辐射X射线衍射分析了AlN缓冲层的厚度对GaN外延层的影响.实验表明,在缓冲层厚度为13～20nm之间时,GaN外延层的张应力最小,同时晶体质量和光学质量达到最优值.此外,SIMS分析表明,当AlN缓冲层位于13～20nm之间时,可有效抑制Si的扩散.