ICP腔室压力对AlGaN表面刻蚀损伤的影响

• 作者: 周勋 田坤 赵文伯 龙维刚
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 高Al组分AlGaN ICP刻蚀 XPS 表面损伤 低温热退火
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 79-83,87
• 分类号: TN304.2
• 语种: 中文

摘要

对高Al组分AlxGa1-xN(x=50％)进行了ICP刻蚀实验研究,在刻蚀深度相同的前提条件下,对比分析了ICP腔室压力与AlGaN表面损伤之间的相互关系,并讨论了低温热退火对ICP刻蚀损伤的修复作用.XPS测试结果表明,与未经刻蚀的AlGaN表面相比,ICP刻蚀之后的AlGaN表面其表面氮空位VN明显增多,且Al2p、Ga3d等峰位均向高结合能方向漂移.分析讨论发现,ICP腔室压力过小或过大均不利于获得低损伤的刻蚀表面,此外,低温热退火(380℃-200s)对表面氮空位有一定的修复作用,但修复效果较为有限.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵文伯		20	159	5.0	12.0
2	周勋		21	79	5.0	8.0
3	田坤		14	68	3.0	7.0
4	龙维刚		4	17	2.0	4.0