基于0.5μm BCD工艺的双向SCR结构的ESD保护设计

• 作者: 李明亮 梁海莲 董树荣 韩雁 顾晓峰
• 来源期刊: 浙江大学学报（工学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 静电放电 双向可控硅 触发电压 维持电压 失效电流
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 所属期刊栏目: 电气工程、电信技术
• 页码范围: 2046-2050
• 页数: 5页
• 分类号: TN335
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2013.11.024

摘要

针对双向可控硅(DDSCR)在特征尺寸不断缩小的集成电路中,难以达到窄小静电放电(ESD)设计窗口的ESD防护需求,设计一种PMOS内嵌型浮栅DDSCR (GFDDSCR) ESD保护器件,并基于0.5 μm Bipolar-CMOS-DMOS工艺进行制备.利用传输线脉冲测试研究不同关键尺寸的GFDDSCR的ESD特性及单位面积ESD防护能力,分析器件ESD特性随关键尺寸变化的规律,得到优化的GFDDSCR的结构参数.结果表明,与DDSCR的改进型结构(IBDSCR)相比,优化的GFDDSCR触发电压下降了27％,电压回滞幅度减小了53％,维持电压和失效电流基本不变,能够满足微纳米级集成电路窄小ESD设计窗口的需求.