基于0.18μm工艺的I/O端口ESD防护设计

• 作者: 李娟 白丽君 程凌
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: ESD GGNMOS GGNMOS+RC Power Clamp结构
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 18-20,48
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 1613字
• 语种: 中文

摘要

当两个拥有不同电势的物体接触时,电势差会导致电荷流动,从而产生放电,这种现象称为静电放电(Electrostatic Discharge,ESD).ESD所产生的瞬间高电压和大电流,会烧毁击穿半导体中的器件,最终导致整个半导体芯片永久性失效.随着硅基CMOS工艺技术的不断进步,由ESD引起的失效问题也随着特征尺寸的变小而日益严重.首先分析了几种常见的静电放电模式以及测试模型,随后基于SMIC公司0.18 μm BCD工艺,在传统GGNMOS抗辐照ESD结构基础上进行优化,设计一款GGNMOS+RC Power Clamp抗ESD结构.经流片测试后,证明该款电路抗ESD能力强,且性能稳定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李娟	中国电子科技集团公司第五十八研究所	11	8	2.0	2.0
2	程凌	中国电子科技集团公司第五十八研究所	2	2	1.0	1.0
3	白丽君	中国电子科技集团公司第五十八研究所	1	2	1.0	1.0