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A 2DEG charge density based drain current model for various Al and In molefraction mobility dependent nano-scale AlInGaN/AlN/GaN HEMT devices
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摘要：
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文献信息
| 篇名 | A 2DEG charge density based drain current model for various Al and In molefraction mobility dependent nano-scale AlInGaN/AlN/GaN HEMT devices | ||
| 来源期刊 | 半导体学报（英文版） | 学科 | |
| 关键词 | |||
| 年，卷（期） | 2013,（4） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 24-29 | |
| 页数 | 分类号 | ||
| 字数 | 语种 | 英文 | |
| DOI | 10.1088/1674-4926/34/4/044002 | ||
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期：
月刊
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
开本：
大16开
出版地：
北京912信箱
邮发代号：
2-184
创刊时间：
1980
语种：
eng
出版文献量（篇）
6983
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