Nd掺杂对磁控溅射Bi4-xNdxTi3O12铁电薄膜结构和性能的影响

• 作者: 燕红 陈彬
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铁电薄膜 Bi4-xNdxTi3O12 介电性能 铁电性能
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 页码范围: 1203-1207
• 页数: 5页
• 分类号: TM22
• 字数: 3012字
• 语种: 中文

摘要

采用磁控溅射工艺在p-Si衬底上制备了Bi4-xNdxTi3O12铁电薄膜,研究了Nd掺杂对Bi4-xNdxTi3O12薄膜微观结构、介电和铁电性能的影响.结果表明,Nd掺杂并未改变薄膜的晶格对称性,仍然保持Bi层状钙钛矿结构,但能在一定程度上抑制晶粒的生长,使薄膜的晶粒更加细小、均匀,同时能明显改善薄膜的介电、铁电性能.Nd掺杂量x=0.30 ～0.40时,Bi4-xNdxTi3O12薄膜的综合性能较好,其介电常数εr＞250,介电损耗tanδ ＜0.1,剩余极化Pr=20.6 μC/cm2,Ec＜ 150 kV/cm.Ag/Bi4-xNdxTi3O12/p-Si异质结顺时针回滞的C-V曲线表明该异质结可实现极化存储,其记忆窗口达1.6V.但掺杂量不宜过多,当Nd掺杂量达到0.45以后,薄膜的介电、铁电性能反而有所下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	燕红		21	42	3.0	5.0
2	陈彬		23	98	6.0	9.0