重离子导致的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应电荷收集三维数值模拟

• 作者: 崔江维 席善斌 张晋新 文林 王信 邓伟 郭旗 郭红霞*
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 锗硅异质结双极晶体管 单粒子效应 电荷收集 三维数值仿真
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 页码范围: 487-494
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.048501

摘要

针对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBTs),采用半导体器件模拟工具,建立SiGe HBT单粒子效应三维损伤模型,研究影响SiGe HBT单粒子效应电荷收集的关键因素.分析比较重离子在不同位置入射器件时,各电极的电流变化和感生电荷收集情况,确定SiGe HBT电荷收集的敏感区域.结果表明,集电极/衬底结内及附近区域为集电极和衬底收集电荷的敏感区域,浅槽隔离内的区域为基极收集电荷的敏感区域,发射极收集的电荷可以忽略.此项工作的开展为下一步采用设计加固的方法提高器件的抗辐射性能打下了良好的基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭旗	中国科学院新疆理化技术研究所	50	338	10.0	16.0
2	王信	中国科学院新疆理化技术研究所	5	14	3.0	3.0
3	文林	中国科学院新疆理化技术研究所	8	25	3.0	5.0
4	崔江维	中国科学院新疆理化技术研究所	3	10	2.0	3.0
5	席善斌	中国科学院新疆理化技术研究所	2	10	2.0	2.0
6	张晋新	中国科学院新疆理化技术研究所	1	6	1.0	1.0
7	郭红霞*	中国科学院新疆理化技术研究所	1	6	1.0	1.0