锗硅异质结晶体管单粒子效应激光微束模拟

• 作者: 崔江维 席善斌 张晋新 文林 王信 肖尧 范雪 郭旗 郭红霞
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: 锗硅异质结双极晶体管 单粒子效应 激光微束 电荷收集
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 2433-2438
• 页数: 6页
• 分类号: O472
• 字数: 4648字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20132509.2433

摘要

对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行了单粒子效应激光微束辐照试验,观测SiGeHBT单粒子效应的敏感区域,测试不同外加电压和不同激光能量下SiGe HBT集电极瞬变电流和电荷收集情况,并结合器件结构对试验结果进行分析.试验结果表明:国产SiGe HBT位于集电极/衬底结内的区域对单粒子效应敏感,波长为1064 nm的激光在能量约为1.5nJ时诱发SiGe HBT单粒子效应,引起电流瞬变.入射激光能量增强,电流脉冲增大,电荷收集量增加；外加电压增大,电流脉冲的波峰增大；SiGe HBT的单粒子效应与外加电压大小和入射激光能量都相关,电压主要影响瞬变电流的峰值,而电荷收集量主要依赖于入射激光能量.