微电子器件静电损伤测试问题研究

• 作者: 王征
• 来源期刊: 科技致富向导
• 关键词: 微电子器件 静电损伤 放电模型
• 年，卷（期）: 2013,（15）
• 所属期刊栏目: 科技论坛
• 页码范围: 218
• 页数: 1页
• 字数: 1938字
• 语种: 中文

摘要

一般而言,薄栅氧MOS器件、场效应器件和浅结、细条、细间距的双极器件的抗静电放电能力更弱.在微电子器件及电子产品的生产、运输和存储过程中,所产生的静电电压远远超过其受损阈值,人体或器具上所带静电若不加以适度防护会使器件产生硬或软损伤现象,使之失效或严重影响产品可靠性.因此,研究静电放电对微电子器件的作用效应及损伤机理具有重要的科学意义和工程应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王征		1	0	0.0	0.0