作者:
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
TCAD (Technology Computer-Aided Design)是先进的集成电路工艺开发中重要的辅助设计手段,其中的工艺模拟(Process Simulation)则是TCAD仿真流程中的关键首要环节。本文概述了集成电路工艺模拟中的常用的氧化、离子注入、扩散、光刻和刻蚀等工艺模型及其功能,并对随着深亚微米技术发展,工艺仿真在离子注入、应力仿真和三维仿真方面的进展进行了介绍。
推荐文章
SUPREM-Ⅲ进行集成电路离子注入的工艺模拟
离子注入
沟道效应
工艺模拟
SUPREM-Ⅲ进行集成电路氧化一扩散工艺模拟
SUPREM-Ⅲ
氧化扩散
工艺模拟
CMOS模拟集成电路匹配技术及其应用
模拟集成电路
版图
匹配
运放
射频集成电路的模拟技术
射频集成电路
电路模拟
谐波平衡
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 集成电路工艺模拟技术及新发展
来源期刊 集成电路应用 学科 工学
关键词 Technology Computer-Aided Design 工艺模拟
年,卷(期) 2014,(5) 所属期刊栏目 应用专题
研究方向 页码范围 24-26
页数 3页 分类号 TN402
字数 2645字 语种 中文
DOI
五维指标
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (1)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
2014(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2015(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
Technology
Computer-Aided Design
工艺模拟
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
集成电路应用
月刊
1674-2583
31-1325/TN
16开
上海宜山路810号
1984
chi
出版文献量(篇)
4823
总下载数(次)
15
论文1v1指导