AlOx/WOy阻变存储结构的转换特性和机理研究

• 作者: 刘易 宋雅丽 林殷茵 王艳良
• 来源期刊: 复旦学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 阻变转换 AlOx/WOy 参数均匀性 导电细丝 阻变存储器
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计
• 页码范围: 24-28,36
• 分类号: TN492
• 语种: 中文

摘要

通过构造AlOx/WOy双层结构实现了阻变存储器的均匀性、低功耗等特性,该器件阻变层中的AlOx为氧空位渐变的梯度膜,从而使得形成的导电细丝更加稳定,在反复擦写过程中导电细丝断开和接上的位置基本不变,对应器件电学性能参数分布集中.采用阶梯脉冲信号结合Verify算法的方法对基于0.18μm CMOS工艺的Al/AlOx/WOy/w结构的阻变存储单元进行转换特性、可靠性的测试,统计结果表明:器件电学性能参数Ron、Roff和Vset等具有良好的均匀性,且无需高电压的初始置位过程;复位过程中复位电流小于15μA,远远小于单层器件Reset电流,很好地满足了存储器件的低功耗要求;在小电压长时间作用下,高低阻态仍保持不变,能有效地防止误擦写操作;通过高温烘烤测试,验证了器件的数据保持能力.同时,分析了wOy薄膜在器件高低阻态转换过程中作为串联电阻降低复位电流的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林殷茵	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	40	129	7.0	10.0
2	刘易	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
3	宋雅丽	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
4	王艳良	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	1	0	0.0	0.0