一种互补式LVTSCR的CMOS芯片ESD保护方法

• 作者: 申莎莎
• 来源期刊: 北华大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: ESD保护 可控硅 CMOS集成电路 LVTSCR
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 页码范围: 697-700
• 页数: 4页
• 分类号: TN453
• 字数: 3108字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11713/j.issn.1009-4822.2014.05.032

摘要

为实现对CMOS芯片进行ESD防护提出了一种互补式LVTSCR结构，给出了该结构横切面电路模型以及等效电路，分析了工作原理及可行性，并与现有的ESD保护结构进行对比分析，采用ISE-TCAD工具进行仿真实验。结果表明：该结构具有占用面积小，单位面积防护效率高的特性，可有效降低成本。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	申莎莎	运城学院物理与电子工程系	14	28	2.0	5.0