基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
对低温阳极键合特性进行了研究。通过对硅片进行亲水、疏水和表面未处理3种不同处理方式研究其对键合的影响,键合前将硅片浸入去离子水(DIW)中不同时间,研究硅表面 H基和氧化硅分子数量对键合的影响。结果表明经亲水处理的硅片在水中浸泡1h 的键合效果最佳。并设计了不同烘烤时间下的阳极键合实验,表明在100°C 下烘烤30 min 可以有效减少气泡的数量和尺寸。由不同工艺条件下得到的键合形貌可知,通过控制硅片表面微观状态可以达到减小或消除键合气泡的目的。
推荐文章
基于硅硅低温直接键合的MEMS打印喷头制作工艺
MEMS
低温直接键合
活化
界面
打印喷头
加工制造
单晶铜键合丝的球键合性能研究
单晶铜键合丝
球键合
可靠性
阳极键合用高分子固体电解质的性能研究
封装
聚氧乙烯
阳极键合
固体电解质
硅硅直接键合界面杂质分布研究
微电子机械系统
直接键合
杂质分布
功率器件
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 低温阳极键合工艺研究
来源期刊 太赫兹科学与电子信息学报 学科 工学
关键词 阳极键合 低温 亲水 疏水 气泡
年,卷(期) 2014,(6) 所属期刊栏目 电磁场与微波
研究方向 页码范围 922-926
页数 5页 分类号 TN305.94
字数 2482字 语种 中文
DOI 10.11805/TKYDA201406.0922
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 苏伟 中国工程物理研究院电子工程研究所 92 541 12.0 16.0
2 唐彬 中国工程物理研究院电子工程研究所 59 173 8.0 10.0
3 陈颖慧 中国工程物理研究院电子工程研究所 15 82 6.0 8.0
4 姚明秋 中国工程物理研究院电子工程研究所 7 30 3.0 5.0
5 李玉萍 中国工程物理研究院电子工程研究所 2 9 2.0 2.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (3)
共引文献  (4)
参考文献  (10)
节点文献
引证文献  (5)
同被引文献  (5)
二级引证文献  (0)
1969(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1995(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1996(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1997(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2001(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2003(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2004(2)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(1)
2006(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2009(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2010(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2011(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2013(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2014(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2017(2)
  • 引证文献(2)
  • 二级引证文献(0)
2018(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2019(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2020(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
阳极键合
低温
亲水
疏水
气泡
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
太赫兹科学与电子信息学报
双月刊
2095-4980
51-1746/TN
大16开
四川绵阳919信箱532分箱
62-241
2003
chi
出版文献量(篇)
3051
总下载数(次)
7
总被引数(次)
11167
  • 期刊分类
  • 期刊(年)
  • 期刊(期)
  • 期刊推荐
论文1v1指导