碲和镁掺杂的新型GaAs隧道结的MBE生长与器件特性

• 作者: 吴渊渊 王乃明 王海啸 甘兴源 郑新和
• 来源期刊: 中国科学（物理学 力学 天文学）
• 关键词: 单质碲 单质镁 砷化镓 分子束外延 隧道结
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚态物理学
• 页码范围: 472-478
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1360/SSPMA2013-00091

摘要

本文采用分子束外延(MBE)的生长方法,研究了单质碲(Te)和单质镁(Mg)分别作为n型和p型掺杂剂时在Ⅲ-Ⅴ族半导体GaAs中的掺杂行为,并且实现了以Te和Mg为掺杂剂的新型GaAs隧道结的生长.通过对生长温度、As4与Ga束流强度Ⅴ/Ⅲ比和掺杂剂束流强度的优化调节,获得了载流子迁移率较高且晶体质量良好的重掺杂的GaAs样品;在此基础上生长的新型n-GaAs(Te)/p-GaAs(Mg)隧道结的峰值电流密度高达21 A/cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑新和	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	10	19	3.0	4.0
2	王乃明	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	3	0	0.0	0.0
3	甘兴源	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	3	0	0.0	0.0
4	王海啸	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	3	0	0.0	0.0
5	吴渊渊	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	4	0	0.0	0.0