先导光刻中的光学邻近效应修正

• 作者: 刘艳松 粟雅娟 韦亚一
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 光学邻近效应修正(OPC) 辅助图形 计算光刻 光源和掩模版的优化(SMO) 像素式光照 两次曝光技术
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 186-193
• 分类号: TN305.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2014.03.009

摘要

按照逻辑器件发展的节点顺序,依次论述了各种光学邻近效应修正技术:基于经验的光学邻近效应修正、基于模型的光学邻近效应修正、曝光辅助图形、光源和掩模版的优化、反演光刻技术以及两次曝光技术等.概括了各种技术出现的逻辑技术节点、数据处理流程、修正的表现形式和效果、优势和发展前景等.最后就先导光刻工艺的研发模式(先建立光学和光刻胶模型,再进行“计算光刻”),论证了光刻工艺的研发必须和光学邻近效应修正的数据流程实现互动的观点,即任何光刻工艺参数的变动都会影响到“计算光刻”模型的准确性,需要重新进行修正,以避免原计算可能导致的失败.因此,光学邻近效应修正是先导光刻工艺研发的核心.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘艳松	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	4	5	2.0	2.0
2	粟雅娟	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	9	29	3.0	5.0
3	韦亚一	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	9	7	2.0	2.0