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摘要:
提出了基于多光刻胶有效扩散长度的光学临近效应修正模型校准方法,其考虑了一维和二维图形之间光刻胶有效扩散长度的不同.该方法的一个重要步骤在于建立起全新的校准流程,使得一维图形和二维图形具有相同的光学参数和不同的光刻胶有效扩散长度.另外,在该模型校准流程中提出了一种基于可制造性设计理念的交互.从校准结果的关键尺寸误差及仿真轮廓和扫描电子显微镜图像的对比来看,基于多光刻胶有效扩散长度的光学临近效应修正模型校准方法的输出模型更加精确和稳定.
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文献信息
篇名 基于多光刻胶有效扩散长度的光学临近效应修正模型校准方法
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 光学临近效应修正 可制造性设计 扩散光学影像模型 边缘位置误差 化学放大光刻胶 掩膜误差因子
年,卷(期) 2008,(12) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 2346-2352
页数 7页 分类号 TN305.7
字数 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.12.012
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 朱亮 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 21 107 5.0 10.0
7 杨华岳 6 25 3.0 5.0
11 闻人青青 1 0 0.0 0.0
12 阎江 1 0 0.0 0.0
13 顾以理 1 0 0.0 0.0
传播情况
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
光学临近效应修正
可制造性设计
扩散光学影像模型
边缘位置误差
化学放大光刻胶
掩膜误差因子
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
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