GaN纳米柱的量子效率研究

• 作者: 修向前 刘斌 华雪梅 张荣 施毅 李扬扬 杨国锋 蒋府龙 谢自立 赵红 郑有炓 陈鹏 韩平
• 来源期刊: 南京大学学报（自然科学版）
• 关键词: GaN纳米柱 光致发光(PL) 量子效率
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 页码范围: 320-324
• 页数: 5页
• 字数: 2104字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13232/j.cnki.jnju.2014.03.010

摘要

主要通过低温和室温变功率光致发光(PL)谱的实验手段,研究了 GaN纳米柱和对应薄膜(作为参考)的量子效率表现.实验中发现在室温,激发光功率为0.5 mW时,GaN纳米柱的积分 PL强度是薄膜的12.2倍,这表明GaN纳米柱具有比薄膜更高的内量子效率和光引出效率.另外,依据高低温积分 PL 强度比的方法计算得到激发光功率0.5 mW时,GaN纳米柱的内量子效率低于薄膜,该计算结果违背由实验现象得到的结果,这表明该内量子效率的计算方法是不合适的,因而建立了一种新模型,得到 GaN纳米柱和薄膜的内量子效率比随激发光功率的变化规律,结果表明 GaN纳米柱的内量子效率表现显著优于薄膜.