MBE生长GaN纳米柱XRD和AFM分析

• 作者: 任霄钰 周平 苑进社
• 来源期刊: 重庆理工大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 Ⅴ/Ⅲ比 GaN纳米柱
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 电子·自动化
• 页码范围: 104-107
• 页数: 4页
• 分类号: TB383.1
• 字数: 2016字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-8425(z).2014.04.022

摘要

首次使用纳米压印和分子束外延(MBE)相结合的方法在图形化衬底上成功制备出GaN纳米柱,并用XRD和AFM对其形貌和结构特性进行了分析表征.XRD分析表明所制备的GaN纳米柱在(0002)方向择优生长.计算得出GaN纳米柱的尺寸约为30 nm.原子力显微镜AFM分析发现:随着Ⅴ/Ⅲ的增大,表面粗糙度逐渐降低.基于XRD和AFM分析结果,讨论了Ⅴ/Ⅲ比对制备GaN纳米柱形貌和结构的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苑进社	重庆师范大学物理与电子工程学院	20	32	3.0	4.0
2	周平	重庆师范大学物理与电子工程学院	6	2	1.0	1.0
3	任霄钰	重庆师范大学物理与电子工程学院	4	8	2.0	2.0